Перейти к основному содержанию

Официальные поставки промышленного оборудования и комплектующих

8 (800) 505-00-28 звонок бесплатный
general@snabexpress-mos.ru для оформления заявок

Mitsubishi Electric начнет поставки образцов четырех новых траншейных SiC-MOSFET кристаллов для силовых полупроводников

15 января
2026
Mitsubishi Electric начнет поставки образцов четырех новых траншейных SiC-MOSFET кристаллов для силовых полупроводников

Mitsubishi Electric Corporation объявила сегодня, что начиная с 21 января начнет поставки образцов четырех новых траншейных кремниево-карбидных МОП-транзисторов (SiC-MOSFET) без защитного корпуса (кристаллов без защитного корпуса), разработанных для использования в силовом электронном оборудовании, таком как тяговые инверторы электромобилей (EV), бортовые зарядные устройства и системы электропитания для возобновляемых источников энергии, включая солнечную энергию. Эти новые силовые полупроводниковые кристаллы будут способствовать усилиям по встраиванию передовых кристаллов в различное силовое электронное оборудование для снижения энергопотребления при сохранении производительности.

Mitsubishi Electric представит новые траншейные SiC-MOSFET кристаллы на 40-й выставке Nepcon Japan R&D and Manufacturing в Токио с 21 по 23 января, а также на выставках в Северной Америке, Европе, Китае, Индии и других местах.

Ожидается расширение рынка силового электронного оборудования в соответствии с глобальными усилиями, нацеленными на декарбонизацию. В рамках этой тенденции растет спрос на силовые полупроводники со встроенными высокоэффективными кристаллами, которые позволяют тяговым инверторам электромобилей и системам электропитания возобновляемой энергии потреблять меньше энергии при сохранении высокой производительности и качества.

С 2010 года Mitsubishi Electric продает модули силовых полупроводников SiC, которые значительно снижают энергопотребление кондиционеров, промышленного оборудования и инверторных систем железнодорожных транспортных средств. Для удовлетворения спроса на передовые силовые полупроводниковые кристаллы Mitsubishi Electric теперь представляет четыре новых траншейных SiC-MOSFET кристалла, которые похожи на существующие траншейные SiC-MOSFET кристаллы компании, но используют проприетарную траншейную структуру SiC-MOSFET для снижения потерь мощности приблизительно на 50% по сравнению с планарными SiC-MOSFET. Кроме того, производственные процессы, включая проприетарный метод изготовления оксидной пленки затвора Mitsubishi Electric, подавляют вариации в потерях мощности и сопротивлении во включенном состоянии для обеспечения стабильного качества в течение длительного периода использования.

Обратившись в компанию ООО СнабЭкспрессЦентр, вы сможете заказать продукцию Mitsubishi Electric напрямую от производителя. Наши консультанты всегда готовы оказать помощь в выборе продукции производителя и ответить на все интересующие вас вопросы.

Последние новости